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NXP Semiconductors
PESD5V0L1ULD
Low capacitance unidirectional ESD protection diode
35
006aab565
10
006aac525
C d
(pF)
30
I RM
I RM(25 °C)
25
1
20
15
10
10 –1
0
1
2
3
4
5
–75
–25
25
75
125
175
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
V R (V)
T j (°C)
Fig 4.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 5.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
I
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
? I PP
V
006aaa407
Fig 6.
V-I characteristics for a unidirectional ESD protection diode
PESD5V0L1ULD
Product data sheet
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Rev. 1 — 19 April 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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